近日，收到北京市科委通知，我司李福盛博士作為項目負責人與北京工業(yè)大學共同申報的《康普錫威新型Sn基抗電遷移焊料開發(fā)項目》成功獲得北京市自然科學基金立項支持。

在高密度封裝互連系統(tǒng)中，互連焊點需承載高頻信號與高電流密度，導(dǎo)致電子風力驅(qū)動的原子遷移速率呈指數(shù)級上升，焊點電遷移效應(yīng)顯著，同時，因局部電流密度分布不均和熱膨脹系數(shù)失配，加速了電遷移與熱疲勞的協(xié)同損傷。傳統(tǒng)Sn基焊點在電遷移效應(yīng)下形成的空洞與裂紋已成為威脅系統(tǒng)可靠性的致命瓶頸。該項目通過焊料成分設(shè)計和工藝優(yōu)化實現(xiàn)Sn基高密度孿晶焊點的穩(wěn)定制備，利用焊點中的高密度孿晶結(jié)構(gòu)抑制電遷移效應(yīng)，提升焊點抗電遷移可靠性。通過晶界強化提升焊點強度，提高焊點疲勞極限，增強抗熱機械疲勞可靠性。

北京市自然科學基金立項支持將有力推動我司新型Sn基抗電遷移焊料的研發(fā)進程，突破高密度封裝技術(shù)瓶頸，為我國芯片產(chǎn)業(yè)實現(xiàn)自主可控和高質(zhì)量發(fā)展提供重要支撐。